光刻机和刻蚀机的区别

光刻机和刻蚀机的区别：1、光刻机难度大，刻蚀机难度小；2、光刻机把图案印上去，刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案/无图的部分，留下剩余的部分；3、工艺操作不同。

本文操作环境：windows10系统、Lenovo 小新Air14电脑。

光刻机和刻蚀机的区别

光刻机和刻蚀机的区别主要表现为3各个方面：

一、难易度：光刻机难度大，刻蚀机难度小

二、原理：光刻机把图案印上去，刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案/无图的部分，留下剩余的部分。

三、工艺操作不同

（1）、光刻机：利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将掩膜版上的电路图形传递到单晶的表面或介质层上，形成有效的图形窗口或功能图形。由于在晶圆的表面上，电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻工艺也是芯片制造中最核心的环节。

（2）、刻蚀机：用化学和物理方法，在经显影后的电路图永久和精确地留在晶圆上，选择性的去除硅片上不需要的材料。刻蚀工艺的方法有两大类，湿法蚀刻和干法蚀刻。

扩展资料：

光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。

等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。

等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。

以上就是光刻机和刻蚀机的区别的详细内容，更多请关注0133技术站其它相关文章！